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Arsenieto de gálio

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Arsenieto de gálio
Alerta sobre risco à saúde
GaAscrystals.JPG
Gallium-arsenide-unit-cell-3D-balls.png
Nome IUPAC Arsenieto de gálio
Identificadores
Número CAS 1303-00-0
PubChem 14770
Número RTECS LW8800000
SMILES
Propriedades
Fórmula molecular GaAs
Massa molar 144.645 g/mol
Aparência Cristais cúbicos cinzentos
Densidade 5.316 g/cm3
Ponto de fusão

1238 °C (1511 K)

Solubilidade em água < 0.1 g/100 ml (20 °C)
Gap de energia 1.424 eV (300 K)
Mobilidade 8500 cm2/(V*s) (300 K)
Condutividade térmica 0.55 W/(cm*K) (300 K)
Índice de refracção (nD) 3.3
Estrutura
Estrutura cristalina Zinc Blende
Grupo de espaço T2d-F-43m
Geometria de
coordenação
Tetraedro
Forma molecular Linear
Riscos associados
MSDS External MSDS
Classificação UE Tóxico (T)
Perigoso ao meio ambiente (N)
NFPA 704
NFPA 704.svg
1
3
2
W
Frases R R23/25, R35
Frases S S1/2, S20/21, S28, S45, S60, S61
Compostos relacionados
Compostos relacionados Arsenieto de alumínio e gálio
Arsenieto de índio e gálio
Fosfeto de arsenieto de gálio
Página de dados suplementares
Estrutura e propriedades n, εr, etc.
Dados termodinâmicos Phase behaviour
Solid, liquid, gas
Dados espectrais UV, IV, RMN, EM
Exceto onde denotado, os dados referem-se a
materiais sob condições normais de temperatura e pressão

Referências e avisos gerais sobre esta caixa.
Alerta sobre risco à saúde.

Arsenieto de gálio é composto químico sintético, de fórmula mínima GaAs. É material semicondutor de interesse da indústria eletrônica/informática, muito utilizado na construção de circuitos integrados.

O arsenieto de gálio é obtido na forma de lâminas, a partir da combinação dos elementos químicos constituintes, arsênio e gálio, e permite, segundo a Revista da Siemens, a fabricação dos chips mais rápidos do mundo, os quais, embora mais caros do que os que utilizam substrato de apenas silício, são muito mais velozes na transmissão de informações, além de possibilitar uma redução significativa nos tamanhos dos equipamentos.


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